GT50JR22 — IGBT транзистор — даташит

GT50JR22 IGBT транзисторы компании Toshiba Electronics Europe для индукционных печей и силовых инверторов, рассчитаны на рабочее напряжение до 600 В. и ток до 50 А., интегрируют в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод. Оптимизированы для применения в индукционных печах и и силовых инверторах, доступны в корпусах TO-3P(N), по размерам аналогичны корпусам TO-247. Данные IGBT-транзисторы отличаются высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока 50 А., типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А. составляет 1.65 вольт для GT50JR22. Транзисторы производятся по запатентованной технологии Enhancement-Mode-Technology компании Toshiba, обеспечивающей отличные динамические свойства силовых ключей. Типовое значение времени включения / выключения при токе коллектора 50 А составляет 0.25 мкс / 0.37 мкс. GT50JR22 ориентированы на применение в устройствах с высокой частотой коммутации. Допустимая рассеиваемая мощность транзисторов составляет 230 Вт.

 

Скачать datasheet GT50JR22. Даташит, описание, PDF, техническая документация.

GT50JR22 IGBT транзистор

 

Сварочные инверторы в которых применяется IGBT транзистор GT50JR22

 

Если Вы не нашли даташит на нужный компонент на страницах этого сайта попробуйте поискать его на
www.datasheet4u.com