IRGP50B60PD1 — IGBT транзистор — даташит

Транзисторы IRGP50B60PD IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1-EP AUIRGP50B60PD1-E — 600-вольтовые транзисторы в корпусе ТО-247 на токи коллектора 75 и 45 А и токи диода 65 и 25 А при температуре 25 и 100°C соответственно. Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. По соотношению качество/цена эти IGBT транзисторы являются отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам.
Транзисторы входит в семейство WARP2 транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.
Типовым применением для этих IGBT  транзисторов являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты.

 

 

 

 

Скачать datasheet IRGP50B60PD IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1-EP AUIRGP50B60PD1-E. Даташит, описание, PDF, техническая документация.

IGBT транзистор IRGP50B60PD1 (GP50B60PD1)

 

Сварочные инверторы в которых применяется IGBT транзистор IRGP50B60PD

 

Если Вы не нашли даташит на нужный компонент на страницах этого сайта попробуйте поискать его на
www.datasheet4u.com