2SK3878 силовой полевой транзистор от компании Toshiba. Полупроводниковый прибор оснащен изолированным затвором на канале n-типа. Изделие выпускается в корпусе TO-3P. При больших рабочих токах 2SK3878 устанавливается на теплоотвод. Для стабильной и надежной работы, транзистор имеет защиту с двумя диодами, которые включены в цепь «исток-сток» и «исток-затвор». Сопротивление в открытом состоянии между истоком и стоком достигает не более 1.0ohm. Транзистор обладает низким током утечки 100uA при 720V. Рассеиваемая мощность составляет 150W. Напряжение сток исток — 900V, непрерывный постоянный ток стока 9A (при 25°C).

SVF3878PN полевой МОП-транзистор N-канальный, производится с использованием запатентованной Silan технологии F-CellTMstructure VDMOS. Усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения улучшенyых характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Транзисторы SVF3878PN широко используются в импульсных источниках питания сварочных инверторов.

 

 

Скачать datasheet 2SK3878 SVF3878PN. Даташит, описание, PDF, техническая документация.

 

Сварочные инверторы в которых применяются MOSFET транзисторы 2SK3878 SVF3878PN

 

Если Вы не нашли даташит на нужный компонент на страницах этого сайта попробуйте поискать его на
www.datasheet4u.com