Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Материал из Википедии
В современной силовой электронике широкое распространение получили так называемые транзисторы IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor. По русски это звучит как Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором. Отсюда их русская аббревиатура — БТИЗ. Технология IGBT была создана в начале 1980-х годов и объединяла преимущества высокого входного сопротивления МОП-транзисторов и низкого сопротивления и малого времени переключения биполярных транзисторов. Полупроводниковые приборы IGBT сочетают достоинства силовых биполярных и полевых транзисторов с изолированным затвором.
Даташиты на IGBT транзисторы которые используются для ремонта сварочных инверторов.
..
..
Если Вы не нашли даташит на нужный компонент на страницах этого сайта попробуйте поискать его на
www.datasheet4u.com
Комментарии